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【真空電鍍機】真空電鍍機的注意事項

發布時間:2019-05-07 18:55:32   點擊率:

  【真空電鍍機】真空電鍍機的注意事項

  1)真空電鍍機中頻磁控濺射電源對磁控濺射靶的要求較高,“孿生”的對靶,要求表面磁場、濺射面積、靶的材質和厚度要盡可能一致。不然會影響電源工作,嚴重時會導致過流保護。

  2)由于兩個靶交替工作,中頻磁控濺射電源的起輝電壓和工作電壓較高,低氣壓下也容易出現滅輝現象。

  3)因兩個靶交替工作,從理論上講中頻磁控濺射電源的電流或功率選擇,基本上可以按直流磁控濺射的兩倍來定,但考慮到其工作電壓較高,可適當降低工作電流。

  4)由于目前中頻磁控濺射電源的工作頻率較低(20~60KHz),還不能濺射絕緣靶材。

  5)中頻磁控濺射電源的空載電壓一般為≥1000V~1200V,工作電壓為500V~800V,工作頻率為20KHz~60KHz,占空比為10%~90%。

  6)工作頻率高一些,有利于增加打火抑制能力,但會限制電源輸出平均電流的能力。

  4、送氣系統:主要由電磁閥開關和氣體流量控制兩部分組成

  5、偏壓電源:在多弧離子和磁控濺射鍍膜技術中都要使用。只是由于磁控濺射的離化率遠低于多弧離子鍍,所需偏壓電源的功率更小。目前有許多設備既配備磁控濺射靶,

  也配有多弧靶,選擇偏壓電源功率時,要以多支工作時的要求來定。早期的偏壓電壓主要是用可控硅技術的直流偏壓電源,

  現在多為采用高頻逆變技術制造的單極性、直流疊加脈沖和雙極性脈沖偏壓電源。因滅弧和防打火功能太差,已經逐漸被淘汰。

  偏壓電源主要用于多弧離子和磁控濺射鍍膜過程中的輝光清洗、離子轟擊和膜層沉積時在被鍍工件上施加偏壓,在輝光清洗時,它產生輝光;在離子轟擊中用于加速離子,

  提高離子轟擊工件表面進的能量,達到嗇濺射清洗效果和膜層結合力的目的,在膜層沉積時,它也用于增加離子能量,促進和改善薄膜生長,也會提高膜基結合力。

  1)通用單極性脈沖偏壓電源的輸出電壓為100~1000V,頻率為20~80KHz,占空比為10%~80%,輸出電流取決于多弧靶的數量和弧流的大小。通常可按3~5A/個選取,

  而只用于磁控濺射鍍膜的偏壓電源。則根據工件表面積和輝光放電清洗強度來選,通常可按5A/m2左右來選取。

  2)調高頻率和減小占空比能減小打火損傷和降低工件表面的溫度、輝光放電清洗和離子轟擊的效果。實際使用中要根據實際工作情況和需要來調節。

  3)增大占空比可提高離子轟擊的能量,有利于提高膜基結合力和膜層的致密性,但會降低成膜速率,實際使用中要根據需要調節、

  4)輝光清洗電壓大約500~1000V,離子轟擊電壓大約400~800V,成膜電壓大約50~300V,在工模具鍍膜中,也有采用1500V,3000V,甚至5000V偏壓電源的,但應用較少。

  5)工作中如出現低壓大電流現象或反復保護,電壓、電流不穩定現象,很可能設備有短路和持續拉弧現象,應進行維修。

  6)工作中打火頻繁。而且提高頻率和占空比也無明顯改善時,可能是膜層絕緣性高或工件上有絕緣材料,這時好選用雙極性脈沖偏壓電源。

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